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セラミックベース PCB は、セラミック材料をベースとして使用し、表面を金属導電層 (通常は銅またはアルミニウム) でコーティングした特殊なタイプのプリント基板です。これらは主に、高出力および高周波の電子部品をサポートするために使用されます。--セラミックの優れた熱伝導性、電気絶縁性、高温耐性と金属層の良好な導電性を組み合わせることで、セラミック基板は、新エネルギー車、太陽光発電インバータ、5G 基地局、高出力半導体モジュールなどのハイエンド電子機器のコアコンポーネントとなっています。-
セラミック基板の種類は、主に材料と製造プロセスの2つの観点から分類できます。

指定者	コード	部品番号	メーカー	量
C1, C4, C20, C182, C191	NP0-0402-50V-100pF±5%			5	250	500
C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104	X5R-0402-50 V-220 nF+-10 %			8	400
C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190	X7R-0402-50 V-100 nF+-10 %			70	3500	7000
C5, C9, C10, C91	X7R-0402-50 V-1 nF+-10 %			4	200	400
C21, C22, C23	X7R-0402-25 V-1 µF+-10 %	GRM155R61E105KA12D		3	450	300
C29, C42	X7R-0402-50 V-220 pF+-10 %			2	300	800	200
C32, C33, C35, C36	X5R-0201-10 V-100nF+-10%			4	200	400	-20%
C38, C39, C40, C41, C46, C56	X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C43, C44, C45, C63	X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 %			4	200	400
C48, C49, C50, C67	X5R-0603-10 V-22 µF+-10 %			4	200	400	-20%
C57, C58, C59, C167	NP0-0402-50V-22pF±5%			4	200	400
C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183	X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 %			9	450	900
C72, C73, C74, C172, C175	X7R-0402-50 V-10 nF+-10 %			5	250	500
C75, C76, C77, C78	X7R-1206-50 V-10 µF+-10 %			4	200	400
C81, C90	X7R-0402-50 V-22 nF+-10 %			2	300	200
C82, C83, C163, C164, C178, C179	X6S-0402-16 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C85	X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 %			1	150	100
C86	NP0-0603-50 V-47 pF+-5 %			1	150	100
C87, C88, C89	X7R-1210-10 V-47 µF+-10 %			3	150	300
C105, C106, C109, C111, C149, C150	NP0-0402-50 V-33 pF±5 %			6	300	600
C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180	X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 %			26	1300	2600
C147		10TPB220M	パナソニック	1	100
C148	X5R-1210-16 V-100 µF±20 %			1	50	100
C151	X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 %			1	150	100
C174	X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 %			1	50	100
C176, C177		EEEFK1H470XP	パナソニック	2	200
C192	NP0-0402-50 V-220 pF+-5 %			1	150	100
DA1、DA2、DA3		SGM2576YN5G/TR	SGマイクロ	3	300
DA4、DA5、DA6、DA10		SY98003AQNC	サイレルジー	4	400
DA7、DA8		LD39050PUR	STマイクロエレクトロニクス	2	200
DA9		MPQ4316GRE-AEC1	MPS	1	100
DA11		LM74800QDRRRQ1	テキサス・インスツルメンツ	1	100
DA12		SY8089AAC	サイレルジー	1	100
DA13		LP5907MFX-1.2/NOPB	テキサス・インスツルメンツ	1	100
DD1		2N7001TDPWR	テキサス・インスツルメンツ	1	100
DD2		FUSB302BMPX	音蝉	1	100
DD3		MCP2542FDT-H/MF	マイクロチップ技術	1	100
DD4		XS9922B	チップアップ	1	100
DD6		MS1836S	マクロシリコン	1	100
DD7		PCA9617ADPJ	ネクスペリア	1	100
FB1、FB14		BLM18PG121SN1D	村田	2	100	200
FB2、FB3		BLM18KG121TN1	村田	2	100	200
FB4、FB5、FB6、FB7、FB8、FB9、FB10		BLM18EG601SN1D	村田	7	350	700
FB11		FBMH1608HM101-T	太陽	1	50	100
L1		SPM5030T-4R7M-HZ	ビシェイ	1	50	100
L2		LQM2HPN2R2MGSL	村田	1	50	100
MP1、MP2、MP3、MP4		9774020633R	私たちは	4	400
MP5、MP6、MP7、MP8		9774050243R	私たちは	4	400
R1, R3, R26, R126	0402-100 Ω+-1 %			4	200	400
R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224	0402-0 Ω+-5 %			41	2050	4100
R7	0402-12 Ω+-1 %			1	150	100
R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109	0402-1 kΩ+-1 %			8	400	800
R9	0603-1 kΩ+-1 %			1	150	100
R10, R179, R180, R181	0603-1,5 kΩ+-1 %			4	200	400
R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227	0402-10 kΩ+-1 %			14	700	1400
R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131	0402-100 kΩ+-1 %			17	850	1700
R25, R59, R90, R108, R123	0402-20 kΩ+-1%			5	250	500
R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35	0402-590 Ω+-1 %			8	400	800
R29	0402-27 kΩ+-1 %			1	150	100
R39, R40	0402-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R41, R42, R43	0402-47 kΩ+-1 %			3	450	300
R44	0402-1,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R45	0603-120 Ω+-5 %			1	150	100
R49	0402-8,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R52, R94, R95, R113, R120	0603-0 Ω+-5 %			5	250	500
R56, R57	0603-5,1 kΩ+-1 %			2	300	200
R60, R63, R64, R65	0402-2,2 Ω+-1 %			4	200	400
R67, R82, R91, R124	0402-2,2 kΩ+-1%			4	200	400
R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132	0402-100 kΩ+-5 %			11	550	1100
R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230	0402-4,7 kΩ+-1 %			21	1050	2100
R87	0402-31,6 kΩ+-1 %			1	150	100
R89	0402-120 kΩ+-1 %			1	150	100
R96	0402-4,3 kΩ+-1 %			1	150	100
R97	0402-75 kΩ+-1 %			1	150	100
R98	0402-51 kΩ+-1 %			1	150	100
R100, R102	0402-39 kΩ+-1 %			2	300	200
R101	0402-15 kΩ+-1 %			1	150	100
R103	0402-30 kΩ+-1 %			1	150	100
R110	0402-330 Ω+-1 %			1	150	100
R115, R116	0603-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R119, R147	0402-75 Ω+-1 %			2	300	200
R135, R136	0402-0 Ω+-1 %			2	300	200
R148	0402-10 Ω+-1 %			1	150	100
R152	0402-22 Ω+-1 %			1	150	100
R154	0402-1 MΩ+-1 %			1	150	100
R160	0402-4,02 kΩ+-1 %			1	150	100
R169, R170	0805-0,033 Ω+-1 %			2	300	200
R182	0402-1 kΩ+-5 %			1	150	100
SB1、SB2		B3U-3000P	オムロン	2	200
VD1、VD17		ESD5Z2.5T1G	オン・セミコンダクター	2	200
VD2		SMBJ40CA-TR	STマイクロエレクトロニクス	1	100
VD3、VD10、VD19		GNL-0603GC	-ない	3	300
VD4、VD18		GNL-0603EC	-ない	2	200
VD5、VD8		MBR0540	ホットテック	2	200
VD6、VD7、VD12、VD13		ESD73034D	テックパブリック	4	400
VD9		SMF05C.TCT	セムテック	1	100
VD14、VD16、VD21		PRTR5V0U2AX,215	ネクスペリア	3	300
VD20		GNL-0603UYOC	-ない	1	100
VT1、VT3、VT4、VT5、VT7		2N7002DW	ホットテック	5	500
VT2、VT6		WNM6002-3/TR	ウィルセミ	2	200
VT8、VT9		WMQ30N06TS	ワヨン	2
VT10		IRML2502	UMW	1	100
XP1、XP2、XP3、XP4、XP7、XP12、XP13、XP14、XP15		SM03B-SRSS-TB	日本時間	9	900
XP5、XP11		SM04B-SRSS-TB	日本時間	2	200
XP6、XP10		SM05B-SRSS-TB	日本時間	2	200
XP8、XP9		SM06B-SRSS-TB	日本時間	2	200
XS2、XS3、XS4、XS5		AXK5F80547YG	パナソニック	4	400
XS6		10118241-001RLF	アンフェノール	1	100
XS8、XS9		1054500101	モレックス	2	200
XS11		1759503-1	TE コネクティビティ	1	100
XS12		5034802400	モレックス	1	100
XS13		245804030000829+	京セラAVX	1	100
ZQ1、ZQ2		X322527MOB4SI	YXC	2	200

セラミックスの材質による分類

さまざまな材料が基材の主要な性能特性を決定するため、これは最も基本的な分類方法です。

アルミナ（Al₂O₃）基板

現在、エレクトロニクス業界で最も広く使用されているセラミック基板材料。これらは、優れた全体的な性能、高い機械的強度、優れた化学的安定性、豊富な原材料、および比較的低コストを提供します。これらは、マイクロエレクトロニクス、パワーエレクトロニクス、およびハイブリッドマイクロエレクトロニクスに広く応用されています。

窒化アルミニウム（AlN）基板

非常に高い熱伝導率（通常 170 W/(m・K) 以上）とシリコンチップとよく一致する熱膨張係数が特徴で、高性能の熱管理アプリケーションに最適です。-ただし、非常に高い材料純度と厳密なプロセス制御が必要です。

窒化ケイ素 (Si₃N₄) 基板

資料では詳細な説明は省略されていますが、一般に機械的強度と耐熱衝撃性に優れていることが知られており、高い信頼性が要求される用途に適しています。

酸化ベリリウム（BeO）基板

金属アルミニウムよりもさらに高い熱伝導率を持っていますが、材料の毒性によりその用途は厳しく制限されています。

製造工程による分類

さまざまな製造プロセスによって基板の構造、性能、コストが決まり、製品タイプを区別する重要な要素となります。

HTCC (高温-焼成-セラミック)

タングステンやモリブデンなどの高融点金属を導体として使用し、1300～1600 度の高温で焼結されます。このプロセスは成熟していますが、コストが比較的高く、金属層の導電率が比較的低いです。

LTCC (低温{0}}焼成-セラミック)

850 ～ 900 度で焼結されるため、銀、金、銅などの導電性の高い金属の使用が可能になります。複雑な多層構造を実現でき、高周波および高度に集積化されたモジュールに適しています。-

DBC (ダイレクトボンド銅)

銅箔は、高温共晶プロセスを通じてセラミック基板に直接接合されます。-低い熱抵抗、高い電流容量、高い信頼性を特徴としており、今日の高出力デバイス用の最も主流のセラミック基板の 1 つとなっています。-

DPC (直接メッキ銅)

薄膜プロセス技術を使用して、セラミック基板の表面に銅を直接電気めっきし、回路パターンを形成します。-高精度で細い線幅を実現することができ、近年急速に発展し、広く応用される技術となっています。

LAM (レーザー活性化メタライゼーション)

レーザー技術を使用してセラミック表面に微細な金属回路を形成し、高精度で小型化されたデバイスに適しています。{0}

セラミックベース PCB には次の主な特徴があります。

特徴

高い熱伝導率

セラミック基板は比較的高い熱伝導率を持っています。たとえば、アルミナセラミック基板の熱伝導率は25〜35 W/(m・K)ですが、窒化アルミニウムセラミック基板の熱伝導率は170〜230 W/(m・K)に達することがあります。この高い熱伝導率によりセラミック基板に優れた放熱性能が与えられ、特に高出力電子デバイスに適しています。-

高い機械的強度と安定性

セラミック基板は強度と硬度が高く、過酷な環境でも安定性を維持できます。熱膨張係数はシリコンの熱膨張係数に近いため、パワーモジュールの製造プロセスが簡素化されます。さらに、セラミック基板は厳しい温度変動下でも優れた性能を発揮し、サイクル数が最大 50,000 回に達する信頼性の高い熱サイクル性能を実証します。

優れた断熱性能

セラミック基板は優れた絶縁性能を示し、高い絶縁耐力が必要な用途に適しています。誘電率が低く、優れた高周波特性を備えているため、高周波回路に適しています。-

優れた化学的安定性

セラミック基板は優れた化学的安定性を示し、高温の酸化環境または腐食環境でも優れた性能を維持できます。{0}腐食しにくいです。

構造

セラミック基板の基本構造は、通常、セラミック基材、金属層、接着層から構成されます。具体的には、アルミナ（Al2O3）や窒化アルミニウム（AlN）などのセラミック基板の表面に銅箔を高温で直接貼り付けた特殊加工基板を指します。この超薄型複合基板は、優れた電気絶縁性、高熱伝導性、優れたはんだ付け性、強力な接着性を備えています。さらに、従来の PCB と同様にさまざまなパターンにエッチングでき、高い電流容量を提供します。-

各種セラミック基板の詳細構造

高温-焼成セラミックス（HTCC）-

このタイプの基板の製造コストは比較的高く、その熱伝導率は、セラミック粉末の組成および純度に応じて、一般に20〜200 W/(m・K)の範囲にあります。

低温同時焼成セラミックス（LTCC）--

低融点ガラス材料をアルミナ粉末に添加することで、金や銀などの導電性の高い金属を電極や配線材料として使用できます。{0}{1}

厚膜印刷セラミック基板 (TPC)

このタイプの基板はスクリーン印刷プロセスを使用して製造され、製造手順が簡単です。{0}車載用電子モジュールなど、回路精度の要件が低い電子デバイスのパッケージングに適しています。

直接接合銅 (DBC) セラミック基板

高温条件下では、銅箔とセラミック基板が共晶接合プロセスによって強固に接合され、高い接合強度と優れた熱伝導率が得られます。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）やレーザーコンポーネントなどのデバイスの熱放散に広く使用されています。

活性金属ろう付け (AMB) セラミック基板

このタイプの基板は、活性元素または希土類元素を含むはんだを介してセラミック基板と銅箔の間の接合を実現します。{0}高い接着強度と信頼性を提供し、高密度実装用途に適しています。-

応用

1. エレクトロニクス分野では、セラミック基板は集積回路、パワーモジュール、RF デバイスなどの電子部品の理想的なキャリアです。高強度、高硬度、高耐摩耗性、優れた絶縁性能、熱安定性を備え、電子機器の安定した動作と効率的な信号伝送を実現します。セラミック基板の用途には、高出力半導体モジュール、電力制御回路、高周波スイッチング電源、ソリッドステートリレー、自動車電子機器、航空宇宙および軍用電子部品、ソーラーパネルアセンブリなどが含まれますが、これらに限定されません。-
2. 通信分野では、セラミック基板をマイクロ波フィルター、アンテナ、電力分配器、結合器、アイソレーターなどの部品に加工できます。これらのコンポーネントは通信システムにおいて重要な役割を果たし、優れた機械的強度と熱伝導性を備えています。
3. 光学分野では、セラミック基板はレーザーのベースとして使用され、良好な熱伝導性と機械的強度を提供します。また、波長分割マルチプレクサや偏波コントローラなど、光ファイバー通信用のさまざまなコンポーネントの製造にも使用されます。{2}
4. 医療分野では、セラミック基板はその優れた生体適合性と化学的安定性により、生体医療センサーや人工臓器などのハイエンド医療機器に広く使用されています。-たとえば、セラミック基板は人工関節や歯科修復材料の製造に使用でき、良好な生体適合性と審美的特性を提供します。
5. 航空宇宙分野では、セラミック基板は、エンジン部品、遮熱コーティング、燃焼室ライニング、および宇宙船部品の製造に使用されます。高い強度、耐放射線性、高温耐性を備えているため、極限環境でも信頼性の高いサポートを提供し、高速、高温、高放射線条件下でも安定したシステム動作を保証します。-
6. 当社のセラミック基板製品には、多層セラミック PCB および 5G PCB アンテナが含まれます。

カスタマイズされた製品

当社の製品のほとんどは、お客様から提供されたオリジナルのガーバーファイルに基づいてカスタマイズされています。
オリジナルのガーバーファイルを受け取った後、実稼働用にそれらを動作するガーバーファイルに変換します。
この変換プロセス中に、製造性を最適化し、スムーズな生産を確保するために、{0}}穴の直径、トレースの幅、トレースの間隔などの特定のパラメータを調整します-。

パッケージと保証

当社の製品はすべて、保管および輸送中に最適な保護を確保するために、乾燥剤とともに真空パッケージされています。{0}
真空パッケージ回路基板の保存期間は、表面処理プロセスによって異なりますが、通常は 3 ～ 12 か月です。{0}詳細は以下のとおりです。

さまざまな表面処理プロセスの保存期間

ENIG (無電解ニッケル浸漬金)

乾燥剤で保護された真空包装で最長 12 か月間保管できます。

鉛フリー-HASL（熱風はんだレベリング）

特別な保管調整を行わない場合、保存期間は通常約 3 か月です。

OSP (有機はんだ付け性保存剤)

乾燥剤で保護された真空包装の場合、保存可能期間は 3 ～ 6 か月です。ただし、不適切に保管した場合（乾燥剤なし、または真空シールが不十分な場合など）、保存期間は約 3 か月に短くなる可能性があります。

イマージョンゴールド（化学金メッキ）

密封されたパッケージと乾燥剤が使用されている場合、保存期間は 6 ～ 12 か月に達します。

会社の利点

1. 当社は、お客様からのすべてのお問い合わせおよび苦情に対して 24 時間以内の回答を保証します。
2. 当社の工場では、2 層基板の 1- 日サンプル生産を提供し、小規模および中規模の注文に対して迅速な製造サービスを提供し、短いリードタイムとオンタイム納品を保証します。
3. 当社は、PayPal、T/T、その他の便利な方法を通じて、EUR、USD、RUB、CNY を含む複数の支払いオプションをサポートしています。

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